气相二氧化硅技术突破，助力半导体抛光液精度达纳米级
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2025年6月，国内某科研团队联合材料企业宣布，成功开发出适用于半导体化学机械抛光液（CMP）的高性能气相二氧化硅材料，推动我国芯片制造关键材料自主化进程。该材料凭借超微细粒径、高纯度及与硅基材料的高适配性，助力抛光液实现纳米级表面平整度，满足先进制程芯片对精度的严苛要求。
在CMP抛光过程中，气相二氧化硅作为核心磨料，其粒径均匀性与化学稳定性直接影响晶圆表面质量。实验数据显示，采用新型气相二氧化硅的抛光液可使玻璃基板表面粗糙度Ra从0.9μm降至0.12μm，降幅达86.7%。这一成果得益于材料制备过程中对孔隙结构与表面电荷的精准调控，有效避免了传统磨料易引入金属离子污染的问题。同时，其与硅基材料相近的硬度特性，可精准去除0.1-1μm级表面凸起，保障芯片电学性能稳定。
目前，全球CMP抛光液市场长期被少数国际企业主导，而国产气相二氧化硅的产业化应用标志着我国在半导体材料领域的技术突破。行业分析认为，随着7nm及以下制程芯片需求的增长，高性能气相二氧化硅将成为提升抛光液良率的核心要素，进一步推动我国半导体产业链的自主可控发展。
